Riset tentang material dua dimensi telah menarik banyak
perhatian sejak keberhasilan enkapsulasi Graphene yang
kemudian digunakan untuk Field Effect Transistor. Graphene
memiliki sifat-sifat yang luar biasa terkait dengan dispersi
linear pada struktur elektroniknya. Silicene yang merupakan
allotrope dua dimensi yang mirip dengan Graphene telah
menarik banyak perhatian sejak satu dekade lalu terkait
dengan sifat-sifat yang istimewa seperti yang ada pada
Graphene. Silicene memiliki keuntungan karena dapat dengan
mudah diintegrasikan dengan teknologi silikon saat ini.
Silicene berbentuk sebagai sebuah bidang dengan benjolan
dibandingkan dengan Graphene yang hanya berupa bidang
datar saja. Struktur benjolan pada silicene dan kopling dari
spin orbit mempengaruhi celah tenaga yang dapat dikendalikan
dengan medan listrik, dimana hal ini menjajikan untuk diaplikasikan pada komputer kuantum topologi. Akan tetapi,normalnya slicene tumbuh di atas substrat seperti Ag(111), Au(111), ZrC(111) dan tidak pernah diproduksi dalam bentuk lembaran bebas. Dalam tulisan ini akan dipelajari secara teoritik stabilitas dari lembaran bebas silicene. Metode perhitungan First-Principles digunakan untuk menentukan konfigurasi atom-atom dari silicene dengan menggunakan beragam konstanta kisi. Secara energi, silicene menunjukkan ketidakstabilan pada keadaan lembaran bebas. Kita dapatkan benjolan pada silicene dipengaruhi oleh ukuran dari konstanta kisi. Oleh karenanya benjolan dan konstanta kisi pada silicenehanya dipengaruhi oleh substrat yang digunakan.